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          头头娱乐(RPI)

          二氧化钒集成随着乐事根基为硅实际应用

          二氧化钒集成随着乐事根基为硅实际应用




          2019年12月16日

          设备的大量依靠技术即:如光纤,电路和传感器可更快,更有效,并且如果所使用的材料,使它们得到改善更有效。


          纳米快报ERS,研究人员头头娱乐最近展示了他们如何能驾驭这样一个有前途的材料特性 - 二氧化钒(VO) - 在以奠定未来技术的实际应用奠定了基础。


          去过VO2长期以来打量为它的能力从金属到绝缘体容易地过渡,和背部,用电压,光或温度的单个应用程序。材料的弱点是充分其对硅生长无力 - 一个必要的整合,如果它是在电子产品中使用。


          “在过去,你想长大当VO2硅,你不能创造一个良好的优质材料。原因就是我们所说的晶格失配和化学,说:”歼十,材料科学与工程伦斯勒副教授。 “他们不相互匹配,因此,如果您尝试在一起配合他们,那么你就会有其他缺陷。你会产生很糟糕的材料“。


          研究人员说,市知道他们可以在其他材料上生长VO2的优质版本,如蓝宝石,例如。蓝宝石,但是,并不像硅用于电子器件是有用的。


          伦斯勒团队把这个知识,尝试了新的途径。研究人员采用石墨烯的很薄的一层蓝宝石努力成长VO2之前。石墨烯充当缓冲并使其剥离的研究人员在石墨烯和VO2组合,生长后,使他们能够以建立一个装置它转移到硅。石墨烯的缓冲层的存在并不破坏生长后VO2晶格和蓝宝石之间的关系。 ESTA过程被称为“远程外延”。


          “这是ESTA方法的第一示范,用该化合物,”施说。


          同时还发现了什么,他们在成长VO2生产质量更好的材料,这种方式卫生组织。石墨烯缓冲增加超过预期的研究人员甚至更多的价值。


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          里夫汉密尔顿
          媒体关系及传播总监

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