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          与硅集成二氧化钒奠定了实际应用基础

          与硅集成二氧化钒奠定了实际应用基础



          通过torie井

          二零一九年十二月十六日

          依赖于技术,如光纤,电路装置和传感器的广大数目可以更快,更有效,并且如果所使用的材料,使它们得到改善更有效。


          纳米快报ERS来自澳门皇冠赌场网站的研究人员最近展示了他们如何利用看好这样的一个材料的特性 - 在以奠定未来技术的实际应用的基础 - 二氧化钒(VO)。


          VO2长期以来一直看着其能够很容易地从过渡金属到绝缘体,和背部,用电压,光或温度的简单的应用程序。材料的弱点是它不能充分地在硅上生长 - 一个必要的整合,如果是被电子产品中使用。


          “在过去,每当你想长大VO2硅,你不能创造一个良好的优质材料。原因就是我们所说的晶格和化学错配,”歼十,材料科学与工程伦斯勒副教授说。 “他们不相互匹配,因此,如果您尝试在一起配合他们,那么你就会有其他缺陷。你会产生很糟糕的材料“。


          诗曰研究人员知道,他们可以在其他材料上生长VO2的优质版本,如蓝宝石,例如。蓝宝石,但是,并不像硅用于电子器件是有用的。


          伦斯勒团队采取了这方面的知识,并尝试了新的途径。研究人员试图成长VO2前应用非常薄的石墨烯层蓝宝石。石墨烯充当缓冲器和使研究人员能够剥离石墨烯和VO2组合,生长后,使他们能够以建立一个装置它转移到硅。石墨烯的缓冲层的存在并不破坏生长后VO2和蓝宝石之间的晶格关系。这个过程被称为“远程外延”。


          “这是本方法的第一个示范,用该化合物,”施说。


          他们还发现,以这种方式增长VO2实际生产质量更好的材料。石墨烯缓冲加比研究人员甚至期待更多的价值。


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